每周新闻报：产业热点速读
8月2日，日本召开会议并通过新版《出口贸易管理令》将韩国移出简化出口手续的白名单。新版管理令从此21天后生效。预计日本可能于下周颁布新令，正式生效时间约为本月下旬。韩国对日本的这一决定表示遗憾。
2、东芝推出两款全新PCIe SSD：采用96层3D TLC，今年Q4上市
东芝宣布推出两个全新系列的NVMe/PCIe 3.0 Gen3x4 M.2固态硬盘（SSD）：RD500和RC500系列。这两个产品系列均采用东芝存储器最先进的96层TLC BiCS FLASH，采用PCIe 3.0 Gen3x4接口，符合NVMe 1.3c 接口规范，SLC缓存，M.2 2280（22x80毫米）外形尺寸。
3、Marvell重磅推出3款PCIe 4.0控制器，全方位布局SSD
Marvell发布的三款低功耗的PCIe Gen4 NVMe SSD控制芯片，包括88SS1321、88SS1322和88SS1323，是采用业界先进的12nm工艺制造，支持PCIe Gen4接口，支持DRAM-base或DRAM-less，支持M.2（22110至2230）、BGA、EDSFF和U.2 SSD等多种形态。
虽然三星在财测中认为下半年芯片需求将出现回温，但谈到日韩贸易战是否对三星造成严重打击，三星电子副会长 Lee Myung-jin 表示，日本实施的半导体原料出口管制措施，确实将三星拖入困境，可能延后返还资金给股东。
5、WD财报持续亏损，2019财年净亏损达7.54亿美元，年底将出货96层3D NAND
西部数据公布截至2019年6月28日的第四季财报，营收36亿美元，环比下滑1%，同比下滑29%；营业亏损3.81亿美元；净亏损为1.97亿美元。按照非GAAP准则，营业利润1.58亿美元，净利润5000万美元，或每股0.17美元，第四财季的运营中获得了1.69亿美元的现金。
为了快速提高产品成本竞争力，西部数据从9月份开始96层3D NAND产出量将超过64层3D NAND，同时将在年底向客户出货96层3D NAND。
据韩媒the bell报导，SK海力士客户端的服务器DRAM库存从2018年底8~9周逐渐减少，2019年第2季尾声约6周水平，NAND库存目前则大约是4~6周。大致上两种存储器的库存水位都在6周左右，比正常库存量还高出2周。
7、三星Q2利润同比下滑53.1%，100层以上V-NAND即将量产，将再度影响市场
三星公布截止2019年6月30日的第二季度财务业绩，营收56.13兆韩元（约474.9亿美元），同比下滑4%，环比增长7.1%；营业利润6.6兆韩元（约55.8亿美元），同比下滑55.6%，环比增长5.9%；净利润5.18兆韩元（约43.8亿美元），同比下滑53.1%，环比增长2.8%。
为了加强市场竞争力，以及满足2019下半年大容量需求，三星将计划2019年批量生产第六代V-NAND，以及增加1Ynm产品来保持技术领先地位。
SMI公告显示，2019年第二季度GAAP收入环比增长4.3%到9880万美元，GAAP净利润环比增长219%到2650万美元；non-GAAP收入环比增长6%到9430万美元，non-GAAP净利润环比增长24%到1860万美元（non-GAAP不包括FCI）。二季度资本开支为290万美元，花费在软件、设计工具和其他项目上。
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9、渠道市场还在涨，NAND价格未来将如何发展？终端大客户接受度成关键因素
受市场补货需求的持续影响，本周部分NAND Flash产品价格依然持续涨势，主要是渠道市场SSD、闪存卡等产品价格上涨。不过，此波涨价的行情仅靠补货需求支撑，经过长达1个月的持续涨价后，市场涨价的行情有所降温。
据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，本周（7月30日）行业市场SSD价格保持平稳走势，变化不大。渠道市场SSD SATA 120GB价格维持在13.8美金左右；240GB价格上涨了0.5美金至23美金；480GB 价格也上涨0.5美金至38.5美金，相较于上周，产品价格涨幅明显收敛。
10、日厂不看好韩国氟化氢新采购策略，预估3~5年才有替代可能
自7月4日日本政府决定对韩国限制核心半导体材料出口，三星电子与SK海力士已开始试用非日本产氟化氢等材料，不过日本材料厂并不看好韩国的尝试。
日刊工业新闻(Nikkan)采访不具名日本材料厂称，即使韩厂能找到符合的材料，半导体产线替换最短也要半年到1年，且其它材料厂目前没有多余产能，产能增强也需要3~5年时间。