每周新闻报:产业热点速读
8月2日,日本召开会议并通过新版《出口贸易管理令》将韩国移出简化出口手续的白名单。新版管理令从此21天后生效。预计日本可能于下周颁布新令,正式生效时间约为本月下旬。韩国对日本的这一决定表示遗憾。
2、东芝推出两款全新PCIe SSD:采用96层3D TLC,今年Q4上市
东芝宣布推出两个全新系列的NVMe/PCIe 3.0 Gen3x4 M.2固态硬盘(SSD):RD500和RC500系列。这两个产品系列均采用东芝存储器最先进的96层TLC BiCS FLASH,采用PCIe 3.0 Gen3x4接口,符合NVMe 1.3c 接口规范,SLC缓存,M.2 2280(22x80毫米)外形尺寸。
3、Marvell重磅推出3款PCIe 4.0控制器,全方位布局SSD
Marvell发布的三款低功耗的PCIe Gen4 NVMe SSD控制芯片,包括88SS1321、88SS1322和88SS1323,是采用业界先进的12nm工艺制造,支持PCIe Gen4接口,支持DRAM-base或DRAM-less,支持M.2(22110至2230)、BGA、EDSFF和U.2 SSD等多种形态。
虽然三星在财测中认为下半年芯片需求将出现回温,但谈到日韩贸易战是否对三星造成严重打击,三星电子副会长 Lee Myung-jin 表示,日本实施的半导体原料出口管制措施,确实将三星拖入困境,可能延后返还资金给股东。
5、WD财报持续亏损,2019财年净亏损达7.54亿美元,年底将出货96层3D NAND
西部数据公布截至2019年6月28日的第四季财报,营收36亿美元,环比下滑1%,同比下滑29%;营业亏损3.81亿美元;净亏损为1.97亿美元。按照非GAAP准则,营业利润1.58亿美元,净利润5000万美元,或每股0.17美元,第四财季的运营中获得了1.69亿美元的现金。
为了快速提高产品成本竞争力,西部数据从9月份开始96层3D NAND产出量将超过64层3D NAND,同时将在年底向客户出货96层3D NAND。
据韩媒the bell报导,SK海力士客户端的服务器DRAM库存从2018年底8~9周逐渐减少,2019年第2季尾声约6周水平,NAND库存目前则大约是4~6周。大致上两种存储器的库存水位都在6周左右,比正常库存量还高出2周。
7、三星Q2利润同比下滑53.1%,100层以上V-NAND即将量产,将再度影响市场
三星公布截止2019年6月30日的第二季度财务业绩,营收56.13兆韩元(约474.9亿美元),同比下滑4%,环比增长7.1%;营业利润6.6兆韩元(约55.8亿美元),同比下滑55.6%,环比增长5.9%;净利润5.18兆韩元(约43.8亿美元),同比下滑53.1%,环比增长2.8%。
为了加强市场竞争力,以及满足2019下半年大容量需求,三星将计划2019年批量生产第六代V-NAND,以及增加1Ynm产品来保持技术领先地位。
SMI公告显示,2019年第二季度GAAP收入环比增长4.3%到9880万美元,GAAP净利润环比增长219%到2650万美元;non-GAAP收入环比增长6%到9430万美元,non-GAAP净利润环比增长24%到1860万美元(non-GAAP不包括FCI)。二季度资本开支为290万美元,花费在软件、设计工具和其他项目上。
9、渠道市场还在涨,NAND价格未来将如何发展?终端大客户接受度成关键因素
受市场补货需求的持续影响,本周部分NAND Flash产品价格依然持续涨势,主要是渠道市场SSD、闪存卡等产品价格上涨。不过,此波涨价的行情仅靠补货需求支撑,经过长达1个月的持续涨价后,市场涨价的行情有所降温。
据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,本周(7月30日)行业市场SSD价格保持平稳走势,变化不大。渠道市场SSD SATA 120GB价格维持在13.8美金左右;240GB价格上涨了0.5美金至23美金;480GB 价格也上涨0.5美金至38.5美金,相较于上周,产品价格涨幅明显收敛。
10、日厂不看好韩国氟化氢新采购策略,预估3~5年才有替代可能
自7月4日日本政府决定对韩国限制核心半导体材料出口,三星电子与SK海力士已开始试用非日本产氟化氢等材料,不过日本材料厂并不看好韩国的尝试。
日刊工业新闻(Nikkan)采访不具名日本材料厂称,即使韩厂能找到符合的材料,半导体产线替换最短也要半年到1年,且其它材料厂目前没有多余产能,产能增强也需要3~5年时间。